Валеев Ришат Галеевич __
Оглавление
Общие сведения
Публикации

Основные публикации

  1. Р.Г. Валеев, А.Н. Деев, Ю.В. Рац, Ю.А. Бабанов, П.Н. Крылов, В.Ф. Кобзиев, С.Ф. Ломаева "Локальная атомная структура нанокристаллического GaAs по данным EXAFS-исследований". Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6, с.655-657.
  2. Р.Г.Валеев, А.Н.Деев, Ю.В.Рац, Ю.А.Бабанов, П.Н.Крылов "EXAFS-исследования локальной атомной структуры GaAs в кристаллическом и нанокристаллическом состояниях". Конденсированные Среды и межфазные границы, 2000, том 2, №3, с.214-217.
  3. Valeev R.G., Kobziev V.F., Zolotaryova O.A., Deev A.N., Ruts Yu.V., Babanov Yu.A., Kryilov P.N., Lomaeva S.F., Konyigin G.N. "The structure and properties of nanocrystalline Ge". Physics of Low Dimension Structure, 2002, Vol.1/2, pp.315-324.
  4. Деев А.Н., Валеев Р.Г., Рац Ю.В., Бабанов Ю.А., Крылов П.Н., Кобзиев В.Ф., Ломаева С.Ф. "Локальная атомная структура кристаллического и разупорядоченного германия по данным EXAFS-спектроскопии". Поверхность, 2002, №9, с. 87-90.
  5. Валеев Р.Г., Крылов П.Н., Кобзиев В.Ф., Батохин А.Е. "Фоточувствительные пленки GaAs". Труды VIII международной научно-технической конференции "Высокие технологии в промышленности России", 2002, с.62-66.
  6. Р.Г. Валеев, П.Н. Крылов, В.Ф. Кобзиев. "Структура и свойства нанокристаллического Ge". Труды VIII международной научно-технической конференции "Высокие технологии в промышленности России", 2002, с.131-135.