Валеев Ришат Галеевич __
Оглавление
Общие сведения
Публикации
Валеев Ришат ГалеевичУченый секретарь, научный сотрудник
Лаб. атомной структуры и анализа поверхности
Телефон: 8(3412)430163, 430294
E-mail: Этот e-mail защищен от спам-ботов. Для его просмотра в вашем браузере должна быть включена поддержка Java-script
ICQ: 58525927

Краткая биография

Родился 6 сентября 1977 года. После окончания Удмуртского государственного Университета в 1999 году поступил в очную аспирантуру Физико-техничесого института. С июля 2002 года - младший научный сотрудник.
В мае 2003 года защитил кандидатскую диссертацию "Нанокомпозитные пленки Ge и GaAs: локальная атомная структура, электрофизические и фотоэлектрические свойства" по специальности 01.04.07 - физика конденсированного состояния (автореферат).
В декабре 2008 года избран ученым секретарем Института
Владение иностранными языками: английский
Семейное положение: женат, имеет дочь и сына.
Научные интересы

Исследования атомной структуры и физических свойств GaAs, Ge, ZnSe;
Термические методы получения полупроводниковых пленок и наноструктур, в том числе с использованием пористых матриц;
Методы исследования: EXAFS спектроскопия, рентгеновская дифракция, атомная сканирующая микроскопия, электронная просвечивающая микроскопия и др.
Проекты и гранты: Является руководителем работ по проектам Программы Президиума РАН, Инновационного проекта молодых ученых УрО РАН, Гранта Президента РФ, госконтракта в рамках ФЦП "Кадры". 
Хобби, увлечения

Компьютеры, Интернет, WebDesign, язык программирования ФОРТРАН, радиоэлектроника, литература (преимущественно фантастика и детективы), анекдоты, музыка, автомобили, путешествия, фотография и т.д.