| Страница 1 из 2  научный сотрудник Лаб. атомной структуры и анализа поверхности
 Телефон: 8(3412)430163
 E-mail: 
 Этот e-mail защищен от спам-ботов. Для его просмотра в вашем браузере должна быть включена поддержка Java-script
 ICQ: 58525927
 Краткая биография
Родился 6 сентября 1977 года. После окончания Удмуртского государственного Университета в 1999 году поступил в очную аспирантуру Физико-техничесого института. С июля 2002 года - младший научный сотрудник.В мае 2003 года защитил кандидатскую диссертацию "Нанокомпозитные пленки Ge и GaAs: локальная атомная структура, электрофизические и фотоэлектрические свойства" по специальности 01.04.07 - физика конденсированного состояния (автореферат).
 В декабре 2008 года избран ученым секретарем Института
 Владение иностранными языками: английский
 Семейное положение: женат, имеет дочь и сына.
 Научные интересы
 Исследования атомной структуры и физических свойств GaAs, Ge, ZnSe;
 Термические методы получения полупроводниковых пленок и наноструктур, в том числе с использованием пористых матриц;
 Методы исследования: EXAFS спектроскопия, рентгеновская дифракция, атомная сканирующая микроскопия, электронная просвечивающая микроскопия и др.
 Проекты и гранты: Является руководителем работ по проектам Программы Президиума РАН, Инновационного проекта молодых ученых УрО РАН, Гранта Президента РФ, госконтракта в рамках ФЦП "Кадры".
 Хобби, увлечения
 Компьютеры, Интернет, WebDesign, язык программирования ФОРТРАН, радиоэлектроника, литература (преимущественно фантастика и детективы), анекдоты, музыка, автомобили, путешествия, фотография и т.д.
 
 
 |