Оже-микрозонд JAMP-10S

Физические принципы

В основе метода Оже - электронной спектроскопии (ОЭС) лежат такие процессы как, ионизация внутренних электронных уровней атома первичным электронным пучком, безизлучательный Оже-переход и выход Оже-электрона в вакуум, где он регистрируется при помощи электронного спектрометра.

Возможности метода ОЭС

• качественный и количественный анализ состава поверхности и границ зерен с локальностью ~ 50 нм;
• профиль изменения концентрации по глубине (с использованием методики ионного травления или для клиновидных образцов);
• исследование химической связи;
• получение изображений поверхности образца во вторичных, обратнорассеянных и Оже электронах;
• исследование картин каналирования электронов (оценка кристалличности изучаемой поверхности);
• получение изображений в режимах композиционного и топографического кон-трастов;
• топография поверхности;
• исследования поверхности в режиме растрового электронного микроскопа;

Технические характеристики JAMP -10S

• Диаметр первичного электронного пучка от 25нм до 100мкм
• Ток первичного электронного пучка от 10-11А до 10-5А
• Увеличение от 45х до 20000х
• Диаметр анализируемой площади от 50нм до 100мкм
• Энергетический анализатор электронов - цилиндрическое зеркало
• Диапазон анализируемых энергий от 0 до 3000 эВ
• Энергетическое разрешение энергоанализатора от 0,35 до 1,2%
• Режимы съемки Оже - спектров N(E) и dN/dE
• Ионное травление (энергия; плотность тока; диаметр пучка) от 0,5 до 5кэВ; max 2x10-4 А/см²; d= 2мм
• Вакуум в камере анализа 2x10^-8 Па
• Размеры образца (максимальные) d =25мм x 10мм
• Глубина анализируемого слоя от 0,5 до 5,0нм