СКАНИРУЮЩАЯ ОЖЕ - ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ

Имеющиеся приборы:

Оже-микрозонд JAMP-10S (JEOL, Япония)

Физические принципы:

В основе метода Оже - электронной спектроскопии (ОЭС) лежат такие процессы как, ионизация внутренних электронных уровней атома первичным электронным пучком, безизлучательный Оже-переход и выход Оже-электрона в вакуум, где он регистрируется при помощи электронного спектрометра.

 

Возможности метода ОЭС:

  • качественный и количественный анализ состава поверхности и границ зерен с локальностью ~ 50 нм;
  • профиль изменения концентрации по глубине (с использованием методики ионного травления или для клиновидных образцов);
  • исследование химической связи;
  • получение изображений поверхности образца во вторичных, обратнорассеянных и Оже электронах;
  • исследование картин каналирования электронов (оценка кристалличности изучаемой поверхности);
  • получение изображений в режимах композиционного и топографического кон-трастов;
  • топография поверхности;
  • исследования поверхности в режиме растрового электронного микроскопа;

Технические характеристики JAMP -10S:

  • Диаметр первичного электронного пучка от 25 нм до 100 мкм
  • Ток первичного электронного пучка от 10-11 А до 10-5 А
  • Увеличение от 45х до 20000х
  • Диаметр анализируемой площади от 50 нм до 100 мкм
  • Энергетический анализатор электронов - цилиндрическое зеркало
  • Диапазон анализируемых энергий от 0 до 3000 эВ
  • Энергетическое разрешение энергоанализатора от 0,35 до 1,2 %
  • Режимы съемки Оже - спектров N(E) и dN/dE
  • Ионное травление (энергия; плотность тока; диаметр пучка) от 0,5 до 5 кэВ; max 2x10-4 А/см2; d = 2 мм
  • Вакуум в камере анализа 2x10-8 Па
  • Размеры образца (максимальные) d =25 мм x 10 мм
  • Глубина анализируемого слоя от 0,5 до 5,0 н

 

СВЕРХВЫСОКОВАКУУМНАЯ СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ

Имеющиеся приборы:

Сверхвысоковакуумный сканирующий туннельный микроскоп GPI-300 (разработан и изготовлен в Институте общей физики РАН).

Возможности:

Прибор позволяет получать изображения поверхности с атомарным разрешением при комнатной температуре образца и используется для изучения любых поверхностных про-цессов в режиме in vivo.

Данный прибор прошел апробацию в течение 5-ти лет в лаборатории поверхностных явлений ИОФ РАН. Основными объектами исследований являлись реакция хлорирования металлов и полупроводников, углеродные нанотрубки и радиационные дефекты на поверхности графита.

Области применения:

  • химические и фотохимические реакции,
  • катализ
  • напыление
  • полупроводниковые технологии
  • адсорбция
  • модификация поверхности ионами, электронами и другими частицами
  • исследование наноматериалов
  • нанотехнология
  • атомные манипуляции
Реконструированная поверхность кремния Si(111)(7x7) с атомарным разрешением

Островки хлорида меди

Технические характеристики (комнатная температура):

  • Максимальная область сканирования (X,Y,Z)с использованием высоковольтных усилителей 1.8x1.6x1.8 мкм3
    (ВВУ)без использования ВВУ 140х130х140 нм3
  • Минимальный шаг при сканированиис использованием ВВУ (X,Y)-0,3 A; (Z)-0.02 A
    без использования ВВУ (X,Y)-0.02 A, (Z)-0.0014 A
  • Область позиционирования (X,Z) 5x11 мм2
  • Разрешение Атомарное разрешение на металлах
  • Механизм подвода и позиционирования - пьезоинерционный
  • Диапазон туннельного тока 0,01-12 нА
  • Диапазон туннельного напряжения ±10 В с 16-ти-битным разрешением
  • Стационарный дрейф 0.1 нм/мин
  • Резонансная частота сканера 3 кГц
  • Тип обратной связи Цифровая
  • Размер образца (X,Y,Z) 10x6x2 мм3
  • Резонансная частота пружинного подвеса 1.2 Гц
  • Размер вакуумного модуля 200x200x630 мм3
  • Размер (тип) фланца вакуумного модуля 200 мм (DN160-CF)
  • Базовое давление в вакуумной камере 1x10-10 Торр
  • Совместимость с другими методами воздействия и анализа поверхности при сканировании:
    ионы, лазер, электроны, молекулы, оптическая спектроскопия.